本書(shū)介紹了主要半導(dǎo)體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書(shū)共13章：第1章為硅和鍺的化學(xué)制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長(zhǎng)；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長(zhǎng)；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體；第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的外延生長(zhǎng)；第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導(dǎo)體；第9章為Ⅱ

本書(shū)內(nèi)容主要基于紅外焦平面陣列探測(cè)器領(lǐng)域取得的成果，并系統(tǒng)介紹了紅外焦平面陣列探測(cè)器的設(shè)計(jì)理論及制造過(guò)程。本書(shū)分別介紹了非制冷型和制冷型兩大類紅外焦平面陣列探測(cè)器，主要具體內(nèi)容為：碲鎘汞和超晶格等熱敏材料制備；金屬、陶瓷、晶圓和像素級(jí)四類封裝工藝；線性、旋轉(zhuǎn)式等多種斯科特式制冷技術(shù)與器件；涉及各類核心器件性能的高精度檢

本書(shū)重點(diǎn)介紹微電子制造工藝技術(shù)的基本原理、途徑、集成方法與設(shè)備。主要內(nèi)容包括集成電路制造工藝、相關(guān)設(shè)備、新原理技術(shù)及工藝集成。本書(shū)力求讓學(xué)生在了解集成電路制作基本原理與方法的基礎(chǔ)上，緊密地聯(lián)系生產(chǎn)實(shí)際，方便地理解這些原本復(fù)雜的工藝和流程，從而系統(tǒng)掌握半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)。本書(shū)內(nèi)容由淺入深，理論聯(lián)系實(shí)際，突出應(yīng)用和基本

全書(shū)較為系統(tǒng)地論述了壓接型IGBT器件封裝疲勞失效機(jī)理及其可靠性建模與測(cè)評(píng)等，既有理論原理、仿真分析、又有實(shí)驗(yàn)測(cè)試等。全書(shū)內(nèi)容可為高壓大功率壓接器件的可靠性設(shè)計(jì)優(yōu)化和測(cè)試奠定理論基礎(chǔ)；同時(shí)也為實(shí)現(xiàn)柔直裝備安全運(yùn)行的狀態(tài)評(píng)估和主動(dòng)運(yùn)維提供技術(shù)支撐，從而進(jìn)一步支撐以高壓大功率IGBT器件為核心的柔直裝備及電力系統(tǒng)安全。

本書(shū)以無(wú)線接入技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)為切入點(diǎn)，建立無(wú)線接入技術(shù)與頻譜規(guī)劃之間的聯(lián)系，圍繞技術(shù)、產(chǎn)業(yè)和應(yīng)用三大核心要素，結(jié)合具體實(shí)際案例，闡述寬帶集群基礎(chǔ)知識(shí)、應(yīng)用轉(zhuǎn)化的場(chǎng)景和行業(yè)、產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)；深入淺出地解析增強(qiáng)型長(zhǎng)期演進(jìn)技術(shù)（enhancedLongTermEvolution，eLTE）集群寬帶系統(tǒng)的物理層結(jié)構(gòu)，包括頻

本書(shū)旨在幫助初級(jí)階段的學(xué)生進(jìn)一步學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的常用協(xié)議和對(duì)應(yīng)的配置方法。 本書(shū)的結(jié)構(gòu)為先交換后路由。本書(shū)首先介紹交換網(wǎng)絡(luò)的基礎(chǔ)知識(shí)，然后介紹VLAN和STP這兩種網(wǎng)絡(luò)中常用的技術(shù)和協(xié)議，最后詳細(xì)介紹路由技術(shù)。路由是網(wǎng)絡(luò)中必不可少的關(guān)鍵技術(shù)，因此，本書(shū)還介紹了網(wǎng)絡(luò)中常用的協(xié)議，并展示了相應(yīng)的配置命令和代碼。此外，本書(shū)根據(jù)

本書(shū)首先以時(shí)間為順序分析了網(wǎng)絡(luò)協(xié)議各個(gè)階段的代表性技術(shù)及發(fā)展概況，結(jié)合TCP/IP的設(shè)計(jì)原理和技術(shù)分析其設(shè)計(jì)原由及演變方向，從目前有代表性的互聯(lián)網(wǎng)協(xié)議角度，分別介紹了目前IP協(xié)議的發(fā)展方向以及各個(gè)方向維度的發(fā)展現(xiàn)狀和技術(shù)進(jìn)展情況，以及其發(fā)展過(guò)程中面臨的問(wèn)題。后從需求角度、技術(shù)能力發(fā)展和過(guò)渡演變趨勢(shì)3個(gè)角度，重點(diǎn)介紹了面

散射光場(chǎng)信息的獲取和解譯，尤其是散射光場(chǎng)中偏振信息的獲取、傳遞和解譯是近年來(lái)國(guó)內(nèi)外研究的熱點(diǎn)之一，其所攜帶的獨(dú)立于強(qiáng)度、相位和頻譜的獨(dú)立特性，使其在諸多領(lǐng)域都具有極高的應(yīng)用價(jià)值。本書(shū)首次系統(tǒng)地從散射光場(chǎng)中偏振特性的產(chǎn)生、傳輸和利用全鏈路地進(jìn)行全面分析和描述，同時(shí)也分析了散射光場(chǎng)中偏振信息提取和利用時(shí)應(yīng)考慮的主要影響因素

本書(shū)對(duì)目標(biāo)的散射機(jī)理、目標(biāo)特性與電磁理論的聯(lián)系，以及目標(biāo)特性領(lǐng)域中關(guān)于散射中心模型的熱點(diǎn)研究問(wèn)題進(jìn)行了詳細(xì)闡述。本書(shū)共5章。第1章從解析解和典型規(guī)則目標(biāo)的近似解出發(fā)，提煉出散射的主要成分，丟掉次要部分，給出簡(jiǎn)潔、明了的散射機(jī)理性闡述；第2章依據(jù)第1章的理論，分析了散射機(jī)理的類型，建立了不同結(jié)構(gòu)體散射場(chǎng)隨頻率、方位、極化

隨著數(shù)字通信技術(shù)的發(fā)展和普及,組合數(shù)字（包括圖論）、數(shù)論和代數(shù)學(xué)成為信息領(lǐng)域的重要數(shù)學(xué)工具。本書(shū)在第一部分通俗地介紹經(jīng)典代數(shù)數(shù)論基本知識(shí),內(nèi)容包括代數(shù)數(shù)域和它的代數(shù)整數(shù)環(huán)、理想的素理想因子分解、理想類群和類數(shù)、局部數(shù)域理論,以及高斯和與雅可比和的計(jì)算。在第二部分講述代數(shù)數(shù)論在通信領(lǐng)域的一些應(yīng)用,內(nèi)容包括組合設(shè)計(jì)、糾錯(cuò)碼