本書為新能源類專業(yè)教學資源庫建設配套教材。本書主要講述了改良西門子法生產(chǎn)多晶硅的制備原理及生產(chǎn)過程，內(nèi)容包括三氯氫硅的合成、精餾提純，三氯氫硅氫還原制備高純硅，尾氣干法回收，硅芯的制備等核心內(nèi)容，同時對氣體的制備與凈化、四氯化硅的綜合利用與處理、純水的制備做了詳細介紹。本書緊密結(jié)合生產(chǎn)實踐，注重理論與實踐的有機結(jié)合。書

本書梳理和總結(jié)了中國科學院院士、半導體材料及材料物理學家王占國院士近60年從事半導體材料領域科研活動的歷程。主要包括王占國院士生活和工作的珍貴照片、有代表性的研究論文、科研和工作事跡、回憶文章、獲授獎項以及育人情況等內(nèi)容。王占國院士是我國著名的半導體材料及材料物理學家，對推動我國半導體材料科學領域的學術繁榮、學科發(fā)展、

本書系統(tǒng)并扼要介紹國際上從上世紀八十年代直到今天持續(xù)活躍的關于半導體中氫的研究成果。內(nèi)容涵蓋從半導體中氫原子與分子的最初實驗發(fā)現(xiàn)到氫致缺陷研究（包括國內(nèi)研究人員的貢獻），到硅等元素半導體至砷化鎵，碳化硅等化合物半導體中氫的基本性質(zhì)和重要效應。其中包括對材料和器件研制至關重要的含氫復合物，荷電雜質(zhì)與缺陷的中性化，氫致半導

半導體器件數(shù)值模擬計算方法是現(xiàn)代計算數(shù)學和工業(yè)與應用數(shù)學的重要領域。半導體器件數(shù)值模擬是用電子計算機模擬半導體器件內(nèi)部重要的物理特性，獲取有效數(shù)據(jù)，是設計和研制新型半導體器件結(jié)構(gòu)的有效工具。本書主要內(nèi)容包括半導體器件數(shù)值模擬的有限元方法、有限差分方法，半導體問題的區(qū)域分裂和局部加密網(wǎng)格方法，半導體瞬態(tài)問題的塊中心差分方

本書主要描述半導體材料的主要測試分析技術，介紹各種測試技術的基本原理、儀器結(jié)構(gòu)、樣品制備和分析實例，主要包括載流子濃度(電阻率)、少數(shù)載流子壽命、發(fā)光等性能以及雜質(zhì)和缺陷的測試，其測試分析技術涉及到四探針電阻率測試、無接觸電阻率測試、擴展電阻、微波光電導衰減測試、霍爾效應測試、紅外光譜測試、深能級瞬態(tài)譜測試、正電子湮滅

本書主要內(nèi)容包括單晶爐的基本知識、直拉單晶爐、直拉單晶爐的熱系統(tǒng)及熱場、晶體生長控制器、原輔材料的準備、直拉單晶硅生長技術、鑄錠多晶硅工藝、摻雜技術等內(nèi)容。本書可作為各類院校太陽能光伏產(chǎn)業(yè)硅材料技術專業(yè)、新能源專業(yè)的教材，也可作為單晶硅生產(chǎn)企業(yè)的員工培訓教材，還可作為相關專業(yè)工程技術人員的參考書。

本書全面地總結(jié)了整機電子裝聯(lián)技術，內(nèi)容涵蓋整機裝聯(lián)的各個方面。從工程應用角度，全面、系統(tǒng)地對整機裝聯(lián)的裝配環(huán)境及所需材料進行了詳細的描述，如焊料、焊劑、膠黏劑等。介紹了整機裝配中使用的電纜組件、連接器等的電裝工藝，如電纜及連接器的選型、電纜的綁扎和走線注意事項、元器件的裝配工藝等。著重對基礎知識進行了講解，同時結(jié)合實際

本書是一本介紹PCBA可制造性設計要求的專著，本書分為三個部分，即上、中、下篇。介紹了可制造性設計的有關概念、PCB的加工方法與性能、表面組裝的工藝特點與要求等內(nèi)容。

《半導體工藝與測試實驗》主要內(nèi)容包括半導體工藝的6個主要單項實驗、半導體材料特性表征與器件測試實驗、工藝和器件特性仿真實驗。并通過綜合流程實驗整合各單項實驗知識和技能，著重培養(yǎng)學生的半導體器件的綜合設計能力。

《真空鍍膜原理與技術》闡述了真空鍍膜的應用，真空鍍膜過程中薄膜在基體表面生長過程；探討了薄膜生長的影響因素；具體地介紹了真空鍍膜的各種方法，包括真空蒸發(fā)鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍以及化學氣相沉積的原理、特點、裝置及應用技術等。力求避開煩瑣的數(shù)學公式，盡量用簡單的語言闡述物理過程。通俗易懂、簡單易學。