本書詳細(xì)介紹VLSI設(shè)計(jì)和制造的基本原理，內(nèi)容涵蓋VLSI設(shè)計(jì)中的多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域，如靜態(tài)時(shí)序分析、CMOS設(shè)計(jì)和布局、物理設(shè)計(jì)自動(dòng)化、VLSI電路測(cè)試，以及FPGA原型設(shè)計(jì)和ASIC設(shè)計(jì)中使用的工具。章末附有中端和后端面試經(jīng)典問題及解答，可幫助讀者更好地理解和應(yīng)用VLSI設(shè)計(jì)知識(shí)。

本書通過實(shí)際案例介紹高級(jí)HDL綜合與SoC原型設(shè)計(jì)，提供有關(guān)SoC和ASIC設(shè)計(jì)性能改進(jìn)的實(shí)用信息。本書共16章，內(nèi)容包括SoC設(shè)計(jì)、RTL設(shè)計(jì)指南、RTL設(shè)計(jì)和驗(yàn)證、處理器設(shè)計(jì)和架構(gòu)設(shè)計(jì)、SoC設(shè)計(jì)中的總線和協(xié)議、存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)控制器、DSP算法與視頻處理、ASIC和FPGA綜合、靜態(tài)時(shí)序分析、SoC原型設(shè)計(jì)、SoC原

本書是編著者結(jié)合多年的工程實(shí)踐、培訓(xùn)經(jīng)驗(yàn)及積累的資料，并借鑒國(guó)內(nèi)外經(jīng)典教材、文獻(xiàn)和專業(yè)網(wǎng)站的文檔等編著而成的。本書全面介紹了SoC的主要構(gòu)成和設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)。本書首先介紹了SoC的構(gòu)成、設(shè)計(jì)流程和設(shè)計(jì)方法學(xué)，接著分章介紹了處理器子系統(tǒng)、存儲(chǔ)子系統(tǒng)、總線、外設(shè)及接口子系統(tǒng)。本書注重基本概念、方法和技術(shù)的討論，加強(qiáng)了對(duì)SoC設(shè)計(jì)

本書是編著者結(jié)合多年的工程實(shí)踐、培訓(xùn)經(jīng)驗(yàn)及積累的資料，并借鑒國(guó)內(nèi)外經(jīng)典教材、文獻(xiàn)和專業(yè)網(wǎng)站的文檔等編著而成的。本書全面介紹了SoC的主要構(gòu)成和設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)。本書依次介紹了時(shí)鐘及產(chǎn)生電路、復(fù)位及其同步化、跨時(shí)鐘域設(shè)計(jì)、低功耗設(shè)計(jì)、標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)、設(shè)計(jì)約束和邏輯綜合、驗(yàn)證、DFT。本書注重基本概念、方法和技術(shù)的討論，加強(qiáng)了對(duì)SoC設(shè)計(jì)

聚焦離子束（FocusedIonBeam，F(xiàn)IB）是微納材料芯片失效分析的核心技術(shù)裝備之一。隨著材料、器件的微尺度化（納米甚至原子尺度）、高集成化（每平方厘米集成10億個(gè)以上的功能單元）、多功能化（在多種外場(chǎng)條件下工作），越來越多的材料微結(jié)構(gòu)研究、器件研發(fā)涉及聚焦離子束。本書從聚焦離子束的結(jié)構(gòu)原理出發(fā)，緊密聯(lián)系應(yīng)用與實(shí)

本書主要面向電子信息類非微電子專業(yè)學(xué)生的入門性質(zhì)的課程，書中將從電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)者的視角，介紹集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)的基本原理和設(shè)計(jì)基礎(chǔ)。本書被列入集成電路新興領(lǐng)域“十四五”高等教育教材。全書內(nèi)容包括：緒論、集成電路制造工藝基礎(chǔ)及版圖設(shè)計(jì)、集成電路中的元器件、模擬集成電路設(shè)計(jì)—信號(hào)鏈與電源管理、數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)—單元電路

本書分為基礎(chǔ)篇、方法篇和應(yīng)用篇，共七章�；�礎(chǔ)篇(第一、二章)介紹了什么是不確定性、不確定性量化這一交叉學(xué)科的發(fā)展現(xiàn)狀，以及不確定性建模和相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)。方法篇(第3-5章)從不確定性量化的研究目標(biāo)出發(fā)，梳理了參數(shù)不確定性、模型不確定性和逆向建模這3類不確定性量化常見問題及對(duì)應(yīng)量化方法。應(yīng)用篇(第6、7章)針對(duì)不確定性量化

"本書力求將芯片基礎(chǔ)知識(shí)理論與案例實(shí)踐融合在一起進(jìn)行詳細(xì)介紹。幫助讀者理解芯片相關(guān)多個(gè)模塊開發(fā)工作原理，同時(shí)兼顧了應(yīng)用開發(fā)的技術(shù)分析與實(shí)踐。本書包含大量翔實(shí)的示例和代碼片段，以幫助讀者平穩(wěn)、順利的掌握芯片開發(fā)技術(shù)。全書共10章，包括RISC-V技術(shù)分析；PCIE，存儲(chǔ)控制，以及總線技術(shù)分析；NPU開發(fā)技術(shù)分析；CUDA

本書共分7章，主要介紹SOI晶圓制備技術(shù)、SOI晶圓材料力學(xué)特性與結(jié)構(gòu)特性、機(jī)械致晶圓級(jí)單軸應(yīng)變SOI技術(shù)、高應(yīng)力氮化硅薄膜致晶圓級(jí)應(yīng)變SOI技術(shù)及其相關(guān)效應(yīng)、高應(yīng)力氮化硅薄膜致應(yīng)變SOI晶圓制備、晶圓級(jí)應(yīng)變SOI應(yīng)變模型、晶圓級(jí)應(yīng)變SOI應(yīng)力分布的有限元計(jì)算。

《晶圓級(jí)芯片封裝技術(shù)》主要從技術(shù)和應(yīng)用兩個(gè)層面對(duì)晶圓級(jí)芯片封裝（Wafer-LevelChip-ScalePackage，WLCSP）技術(shù)進(jìn)行了全面的概述，并以系統(tǒng)的方式介紹了關(guān)鍵的術(shù)語，輔以流程圖和圖表等形式詳細(xì)介紹了先進(jìn)的WLCSP技術(shù)，如3D晶圓級(jí)堆疊、硅通孔（TSV）、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）和光電子應(yīng)用等，并著