在半導(dǎo)體芯片被廣泛關(guān)注的當(dāng)下，本書(shū)旨在為廣大讀者提供一本通俗易懂和全面了解半導(dǎo)體芯片原理、設(shè)計(jì)、制造工藝的學(xué)習(xí)參考書(shū)�！稑O簡(jiǎn)圖解半導(dǎo)體技術(shù)基本原理（原書(shū)第3版）》以圖解的形式，簡(jiǎn)單明了地介紹了什么是半導(dǎo)體以及半導(dǎo)體的物理特性，什么是IC、ISI以及其類(lèi)型、工作原理和應(yīng)用領(lǐng)域。在此基礎(chǔ)上詳細(xì)介紹了ISI的開(kāi)發(fā)與設(shè)計(jì)、IS

本書(shū)聚焦硅基集成電路主要器件，即PN結(jié)、雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、直流特性、頻率特性、開(kāi)關(guān)特性，側(cè)重對(duì)基本原理的討論，借助圖表對(duì)各種效應(yīng)進(jìn)行圖形化直觀展示，并詳細(xì)推導(dǎo)了各種公式。此外，還對(duì)小尺寸場(chǎng)效應(yīng)晶體管的典型短溝道效應(yīng)及其實(shí)際業(yè)界對(duì)策進(jìn)行了較為詳細(xì)的闡述。本書(shū)適合集成電路或微電子相關(guān)專(zhuān)業(yè)本科生

《半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)》主要內(nèi)容總體可被劃分為兩個(gè)部分，分別是晶體的結(jié)構(gòu)理論和晶體的缺陷理論。第一部分主要圍繞理想晶體（完美晶體）的主要性質(zhì)與基本概念撰寫(xiě)，加深讀者對(duì)晶體結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵性質(zhì)的理解。第一部分?jǐn)M通過(guò)五個(gè)章節(jié)分別介紹晶體的基本概念、晶體結(jié)構(gòu)、對(duì)稱(chēng)性、晶體結(jié)構(gòu)描述方法及典型半導(dǎo)體晶體的重要物理、化學(xué)特性和這些特性與晶體微觀、

本書(shū)對(duì)半導(dǎo)體金屬氧化物基本性質(zhì)及傳感作用機(jī)制進(jìn)行了系統(tǒng)性介紹，并對(duì)氣體傳感器在不同領(lǐng)域的應(yīng)用與性能優(yōu)化策略進(jìn)行詳細(xì)闡述。全書(shū)共分為十章，總結(jié)了SMO氣體傳感器的特點(diǎn)（主要是基本特性）、氣體傳感器的原理、氣固界面氣敏催化機(jī)制以及各種類(lèi)型的SMO氣體傳感器。本書(shū)圍繞半導(dǎo)體金屬氧化物氣體傳感材料展開(kāi)，尤其關(guān)注了SMO納米尺度

本書(shū)首次利用半導(dǎo)體超晶格作為真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器的混沌熵源，針對(duì)超晶格作為混沌熵源時(shí)所涉及的器件設(shè)計(jì)、混沌信號(hào)分析、隨機(jī)數(shù)提取等問(wèn)題進(jìn)行研究，從理論上對(duì)超晶格混沌產(chǎn)生自激振蕩的機(jī)理進(jìn)行了研究，從實(shí)踐上實(shí)現(xiàn)了基于超晶格混沌熵源的隨機(jī)數(shù)發(fā)生器設(shè)計(jì)及產(chǎn)生真隨機(jī)數(shù)的評(píng)估。

本書(shū)講述了功率半導(dǎo)體器件的基本原理，涵蓋Si器件、SiC器件，GaN器件以及GaAs器件等；綜合分析和呈現(xiàn)了不同類(lèi)型器件的封裝形式、工藝流程、材料參數(shù)、器件特性和技術(shù)難點(diǎn)等；將功率器件測(cè)試分為特性測(cè)試、極限能力測(cè)試、高溫可靠性測(cè)試、電應(yīng)力可靠性測(cè)試和壽命測(cè)試等，并詳細(xì)介紹了測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)、方法和原理，同步分析了測(cè)試設(shè)備和數(shù)據(jù)

半導(dǎo)體材料是材料、信息、新能源的交叉學(xué)科，是信息、新能源（半導(dǎo)體照明、太陽(yáng)能光伏）等高科技產(chǎn)業(yè)的材料基礎(chǔ)。本書(shū)共15章，詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體材料的基本概念、基本物理原理、制備原理和制備技術(shù)，重點(diǎn)介紹了半導(dǎo)體硅材料（包括高純多晶硅、區(qū)熔單晶硅、直拉單晶硅和硅薄膜半導(dǎo)體材料）的制備、結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，闡述了化合物半導(dǎo)體（包括Ⅲ-Ⅴ族

本書(shū)內(nèi)容涵蓋了真空鍍膜的關(guān)鍵技術(shù)和實(shí)際應(yīng)用。在介紹真空鍍膜技術(shù)基礎(chǔ)理論及應(yīng)用的基礎(chǔ)上，著重闡述了真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜、真空離子鍍膜、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的原理、工藝、應(yīng)用等，緊接著介紹了薄膜厚度的測(cè)量、薄膜分析檢測(cè)技術(shù)等方面的內(nèi)容，最后詳細(xì)闡述了工模具真空鍍膜生產(chǎn)線的具體工藝流程。本書(shū)敘述深入淺出，內(nèi)容豐富而

本書(shū)詳細(xì)介紹了鍺塵中鍺的二次富集及提取，全書(shū)共分7章，內(nèi)容包括緒論、實(shí)驗(yàn)方案、鍺塵基礎(chǔ)物理化學(xué)性質(zhì)及造塊、GeO2與氧化物間相互作用、鍺塵中鍺的二次富集研究、鍺的微波濕法提取研究、結(jié)論。

SMT是一門(mén)包含元器件、材料、設(shè)備、工藝以及表面組裝電路基板設(shè)計(jì)與制造的綜合電子產(chǎn)品裝聯(lián)技術(shù)，是在傳統(tǒng)THT通孔插裝元器件裝聯(lián)技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的新一代微組裝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體材料、元器件、電子與信息技術(shù)等相關(guān)技術(shù)的發(fā)展，使SMT組裝的電子產(chǎn)品更具有體積小、性能好、功能全、價(jià)位低的綜合優(yōu)勢(shì)，適應(yīng)了數(shù)碼電子產(chǎn)品向短、小、輕