本書力圖全面深入地介紹太陽能電池的原理、技術(shù)與應(yīng)用，為讀者提供一本兼具理論深度和實踐指導的權(quán)威之作。本書詳細闡釋了太陽能與太陽能電池的基本物理原理與特性，系統(tǒng)梳理了各類太陽能電池的發(fā)展脈絡(luò)，深入探討了太陽能電池的測試原理與分析方法，重點介紹了太陽能電池性能提升的前沿技術(shù)，進一步闡述了光伏發(fā)電系統(tǒng)的設(shè)計與應(yīng)用。

本書為《新興半導體》分冊。新興半導體發(fā)展迅速、應(yīng)用領(lǐng)域廣泛、產(chǎn)業(yè)帶動性強、節(jié)能潛力大，被公認為最有發(fā)展前景的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在消費類電子、5G通訊、新能源汽車、智能電網(wǎng)、航天等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。本分冊圍繞新興半導體這一“核芯”領(lǐng)域，從高載流子遷移率半導體材料、憶阻半導體材料、新型紅外半導體材料及超寬禁帶半導體材料

本書詳細介紹了多芯片SiCMOSFET功率模塊設(shè)計所面臨的物理挑戰(zhàn)及相應(yīng)的工程解決方案，主要內(nèi)容包括多芯片功率模塊、功率模塊設(shè)計及應(yīng)用、功率模塊優(yōu)化設(shè)計、功率模塊壽命評估方法、耐高溫功率模塊、功率模塊先進評估技術(shù)、功率模塊退化監(jiān)測技術(shù)、功率模塊先進熱管理方案、功率模塊新興的封裝技術(shù)等。本書所有章節(jié)均旨在提供關(guān)于多芯片S

"為了應(yīng)對我國在集成電路領(lǐng)域,尤其是光刻技術(shù)方面嚴重落后于發(fā)達國家的局面,破解光刻制造設(shè)備、材料和光學鄰近效應(yīng)修正軟件幾乎完全依賴進口的困境,作為從事光刻工藝研發(fā)近20年的資深研發(fā)人員,作者肩負著協(xié)助光刻設(shè)備、材料和軟件等產(chǎn)業(yè)鏈共同研發(fā)和發(fā)展的責任,將為了應(yīng)對我國在集成電路領(lǐng)域，尤其是光刻技術(shù)方面嚴重落后于發(fā)達國家的局

以GaN為襯底材料的Ⅲ-Ⅴ族氮化物（包括AlN、GaN、InN及相關(guān)合金）是極為重要的寬禁帶半導體材料，這類氮化物材料和器件的發(fā)展十分迅速。本書通過理論介紹與具體實驗范例相結(jié)合的方式對氮化物半導體材料及器件進行介紹，并系統(tǒng)地講解了目前廣泛應(yīng)用的氮化物光電器件與氮化物電力電子器件，使讀者能夠充分了解二者之間內(nèi)在的聯(lián)系與區(qū)

半導體制造作為微電子與集成電路行業(yè)中非常重要的環(huán)節(jié)，其工藝可靠性是決定芯片性能的關(guān)鍵。本書詳細描述和分析了半導體器件制造中的可靠性和認定，并討論了基本的物理和理論。本書涵蓋了初始規(guī)范定義、測試結(jié)構(gòu)設(shè)計、測試結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)分析，以及工藝的最終認定，是一本實用的、全面的指南，提供了驗證前端器件和后端互連的測試結(jié)構(gòu)設(shè)計的實際范例。

本書以光學/儀表級復合材料為應(yīng)用背景，以高比模量、高比強度、低膨脹、高導熱及高尺寸穩(wěn)定性等性能為目標，針對中等體積分數(shù)SiCp/Al復合材料的制備及性能調(diào)控難題，介紹了粉末冶金法制備SiCp/Al復合材料優(yōu)化工藝，通過碳化硅顆粒尺寸調(diào)控實現(xiàn)復合材料的性能改進，進一步介紹了不同碳化硅顆粒尺寸調(diào)控下復合材料的力學性能、界面

本書主要內(nèi)容是介紹TO2光催化劑的局限性，以及利用構(gòu)筑TiO2基納米異質(zhì)結(jié)來提高其光電化學性能。具體包括通過水熱法、陽極氧化等方法制備m&t-BiVO4/TiO2-NTAs、TiO2/PSA、CdS/PSA和CdS/TiO2-NTAs等納米異質(zhì)結(jié)光催化劑，分析它們的電荷轉(zhuǎn)移機制和光電化學性能。

本書旨在系統(tǒng)探討超快光譜在半導體納米異質(zhì)結(jié)電荷轉(zhuǎn)移與光電化學性能方面的應(yīng)用，主要內(nèi)容包括納米異質(zhì)結(jié)復合體系的構(gòu)筑與表征，TiO2/Au/Cu2O納米管復合體系表(界)面紫外光生電荷動力學行為，TiO2/BiVO4納米管復合體系表(界)面紫外光生電荷動力學行為，TiO2/Mo2S納米管復合體系表(界)面紫外光生電荷動力學

本書概述了業(yè)界前沿研究者所采取的技術(shù)方法，以及他們所面臨的挑戰(zhàn)和在該領(lǐng)域所取得的進展。具體內(nèi)容包括寬禁帶半導體器件中的熱問題、氮化鎵(GaN)及相關(guān)材料的第一性原理熱輸運建模、多晶金剛石從介觀尺度到納米尺度的熱輸運、固體界面熱輸運基本理論、氮化鎵界面熱導上限的預測和測量、AlGaN/GaNHEMT器件物理與電熱建模、氮