本書以圖解的方式深入淺出地講述了功率半導(dǎo)體制造工藝的各個技術(shù)環(huán)節(jié)。全書共分為10章，包括俯瞰功率半導(dǎo)體工藝全貌、功率半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識及運作、各種功率半導(dǎo)體的作用、功率半導(dǎo)體的用途與市場、功率半導(dǎo)體的分類、用于功率半導(dǎo)體的硅晶圓、硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展、挑戰(zhàn)硅極限的SiC與GaN、功率半導(dǎo)體制造過程的特征、功率半導(dǎo)體開辟綠色

本書基于作者在薄膜晶體管液晶顯示器領(lǐng)域的開發(fā)實踐與理解，并結(jié)合液晶顯示技術(shù)的最新發(fā)展動態(tài)，首先介紹了光的偏振性及液晶基本特點，然后依次介紹了主流的廣視角液晶顯示技術(shù)的光學(xué)特點與補償技術(shù)、薄膜晶體管器件的SPICE模型、液晶取向技術(shù)、液晶面板與電路驅(qū)動的常見不良與解析，最后介紹了新興的低藍光顯示技術(shù)、電競顯示技術(shù)、量子點

本書共七章，內(nèi)容包括緒論、InAs/AlSb異質(zhì)結(jié)外延材料特性及工藝、InAs/AlSbHEMTs器件特性及工藝、InAs/AlSbMOS-HEMTs基礎(chǔ)研究、InAs/AlSbHEMTs器件模型、InAs/AlSbHEMTs低噪聲放大器設(shè)計以及總結(jié)和展望。

本書以寬禁帶半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)與光電器件光學(xué)表征為主線，按照面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體前沿課題，注重先進光電器件與材料微結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)性質(zhì)和過程進行光學(xué)表征，以提升寬禁帶半導(dǎo)體光電子器件性能為目的的原則安排全書內(nèi)容，從應(yīng)用基礎(chǔ)研究和研發(fā)先進光電子器件的角度出發(fā)，組織全國在該領(lǐng)域前沿進行一線科研工作的學(xué)者進行編寫，力爭用通俗易懂的語言，由淺

激光熱敏光刻具有以下特點:1)寬波段光刻,這類光刻膠的吸收光譜一般都覆蓋從近紅外到極紫外的整個光刻曝光的波段,可以稱之為寬波段光刻膠;2)突破衍射極限的光刻,光刻特征尺寸不再受制于光學(xué)衍射極限,而是取決于熱致結(jié)構(gòu)變化區(qū)域的尺寸;3)跨尺度光刻,光刻中激光光斑的強度一般呈高斯分布,光斑中心的溫度高,沿四周擴散并逐漸降低,

本書主要介紹了第一性原理及其在計算機模擬中各種參數(shù)的設(shè)置問題和實際模擬中的參數(shù)選擇,以及該方法在基于表面改性設(shè)計的氮化鎵/氮化銦納米線、氮化鎵納米薄膜等納米材料在外場(電場或應(yīng)變場)作用下電學(xué)性質(zhì)和磁學(xué)性質(zhì)研究中的應(yīng)用,并將材料進一步拓展到外場下表面改性的類石墨烯(錫烯和鍺烯等)納米材料。

功率半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)

本書主要依據(jù)作者研究團隊及國內(nèi)外金屬有機框架材料（MOFS）與半導(dǎo)體復(fù)合材料的研究進展，系統(tǒng)介紹了不同種類的MOFS半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法，表征手段，電荷傳遞路徑，在不同污染環(huán)境中的催化應(yīng)用以及光催化性能機理解釋。最后，闡述了此類異質(zhì)結(jié)構(gòu)在工業(yè)應(yīng)用中的未來方向和發(fā)展前景。 本書可供從事金屬有機框架材料及其光電

本書主要依據(jù)作者研究團隊及國內(nèi)外金屬有機框架材料（MOFS）與半導(dǎo)體復(fù)合材料的研究進展，系統(tǒng)介紹了不同種類的MOFS半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法，表征手段，電荷傳遞路徑，在不同污染環(huán)境中的催化應(yīng)用以及光催化性能機理解釋。最后，闡述了此類異質(zhì)結(jié)構(gòu)在工業(yè)應(yīng)用中的未來方向和發(fā)展前景。 本書可供從事金屬有機框架材料及其光電

本書就電子裝聯(lián)所用焊料、助焊劑、線材、絕緣材料的特性及使用和選型，針對工藝技術(shù)的特點和要求做了較為詳細的介紹。尤其對常常困擾電路設(shè)計和工藝人員的射頻同軸電纜導(dǎo)線的使用問題進行了全面的分析。對于手工焊接的可靠性問題、整機接地與布線處理的電磁兼容性問題、工藝文件的編制、電子裝聯(lián)檢驗的理念和操作等內(nèi)容，本書不僅在理論上，還在