本書內(nèi)容以實用性為出發(fā)點，闡釋了氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導體的原理、制造工藝、特性表征、市場現(xiàn)狀以及針對關鍵應用的設計方法。針對GaN器件，從材料特性、芯片設計、制造工藝和外特性各方面深入分析，介紹了仿真手段和各種典型應用，最后還介紹了目前主流的技術和GaN公司。

本書針對后摩爾時代集成電路產(chǎn)業(yè)日益嚴重的功耗問題，介紹芯片功耗、工作電壓和場效應晶體管亞閾值特性的關系，并通過解析鐵電負電容場效應晶體管陡峭亞閾值特性工作機理，闡明鐵電負電容場效應晶體管技術對于突破后摩爾時代功耗瓶頸的關鍵作用。

本書首先簡要闡述近年來新型瞬態(tài)電真空半導體光電子器件內(nèi)涵、特點、研究意義與國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀，使讀者對新型瞬態(tài)電真空半導體光電子器件有一個宏觀把握和大致了解:接著對影響新型瞬態(tài)電真空半導體光電子器件總體設計方案的多種外界約束條件和性能指標進行分析;然后重點論述新型瞬態(tài)電真空半導體光電子器件總體情況與發(fā)展趨勢，并分別詳細論述

本書綜合了近幾年工業(yè)界的最新進展和學術界的最新研究成果，詳細介紹并討論了碳化硅功率器件的基本原理、發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢、特性及測試方法、應用技術和各應用領域的方案。本書共分為12章，內(nèi)容涵蓋功率半導體器件基礎，SiC二極管的主要特性,SiCMOSFET的主要特性，SiC器件與Si器件特性對比，雙脈沖測試技術，SiC器件的測試

《薄膜晶體管材料與技術》是戰(zhàn)略性新興領域“十四五”高等教育教材體系——“先進功能材料與技術”系列教材之一。本書歸納薄膜晶體管（TFT）材料、器件及制備技術，總結和梳理TFT相關的基礎理論知識，包括材料物理與化學、器件物理、工藝原理以及實際應用設計原理，進一步提出新見解，為TFT技術的發(fā)展提供理論指導和方向參考。本書以T

氧化鎵(Ga2O3)具有超寬禁帶和高臨界擊穿場強，可滿足電力電子系統(tǒng)高功率(密度)、高效率和小型化發(fā)展需求，在航空航天、智能電網(wǎng)等領域應用前景廣闊，但器件受限于高耐壓和低功耗的矛盾關系，且當前對大功率器件及其熱穩(wěn)定性研究較少。為此，本論文在Ga2O3器件新結構與熱穩(wěn)定性方面開展理論和實驗創(chuàng)新研究。本研究為氧化鎵功率器件

本書是一本微電子技術方面的入門書籍，全面介紹了半導體器件的基礎知識。全書分為三個部分共19章，首先介紹了半導體基礎，講解了半導體物理方面的相關知識以及半導體制備工藝方面的基本概念。書中闡述了pn結、雙極結型晶體管（BJT）和其他結型器件的基本物理特性，并給出了相關特性的定性與定量分析。最后，作者討論了場效應器件，除了講

本書提供了在各個工藝及系統(tǒng)層次的半導體存儲器現(xiàn)狀的全面概述。在介紹了市場趨勢和存儲應用之后，本書重點介紹了各種主流技術，詳述了它們的現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)和機遇，并特別關注了可微縮途徑。這些述及的技術包括靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)、動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)、非易失性存儲器(NVM)和NAND閃存。本書還提及了嵌入式存儲器

。本冊為《半導體工藝原理》，主要內(nèi)容包括：鍺和硅的化學制備與提純、半導體材料的生長、硅片加工、氧化工藝、薄膜沉積工藝、外延工藝、光刻工藝概述、光刻設備、光刻材料、刻蝕工藝、摻雜工藝等。

本書系統(tǒng)總結具有電子相變特性的過渡族化合物半導體材料體系，詳細介紹其晶體結構、電輸運與磁性、電子相轉變原理、材料合成與潛在應用等。全書共12章，其中第1章總述現(xiàn)有電子相變材料體系以及常見電子相變原理。由于具有相同的價電子數(shù)的過渡族元素的化合物中的軌道構型具有一定相近性，第2～11章將進一步按照副族周期元素對三十余種電子